檢索結果：共14筆資料 檢索策略： "銦".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="郭東昊"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
近年來，隨著能源危機的出現，許多研究者也紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池的相關研究。在此領域之中，時常會使用硫化鎘以及氧化鋅作為太陽能電池的n型半導體層，然而，硫化鎘本身含有毒性，因此本實驗要利用G…
2
近年來，研究人員紛紛投入CIGSe太陽能薄膜電池真空製程的研究中，而真空製備的方法眾多，主要分為蒸鍍與濺鍍製程，本實驗使用真空濺鍍製程當作主要製程。目前高效率的製程多屬於共蒸鍍系統，最高可達到20%…
3
為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程，與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材，一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁，銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶，…
4
本研究主要為兩個部分:第一部分使用DC磁控濺鍍法於室溫環境下，在玻璃基板與PC、PET、COC不同塑膠基板上沉積氧化銦錫薄膜，藉由量測分析探討不同基板上氧化銦錫之電氣與光學特性及薄膜組成與結構。第二…
5
近年來，許多研究者紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池非真空製程之研究，非真空製程方式極多，其薄膜緻密程度及晶粒大小為光電轉換效率之關鍵。 本實驗利用油墨網印法製備硒化銅銦鎵薄膜太陽能電池，以不…
6
近年來，許多研究者紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池真空製程之研究，而真空製程方式極多，主要分為濺鍍與蒸鍍，本實驗使用真空濺鍍當作主要製程。 本實驗是利用不同靶材濺鍍出CIGSe薄膜，再將陶瓷CIGS…
7
本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…
8
本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中，並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材，經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜，期望藉由…
9
10
本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…